русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SCT30N120
SCT30N120
SCT30N120
Тип продуктов:
SCT30N120
производитель:
STMicroelectronics
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
29353 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
1.SCT30N120.pdf2.SCT30N120.pdf3.SCT30N120.pdf
запрос

Введение

SCT30N120 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SCT30N120, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SCT30N120 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SCT30N120 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:2.6V @ 1mA (Typ)
Vgs (макс.):+25V, -10V
Технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства:HiP247™
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс):270W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Другие названия:497-14960
Рабочая Температура:-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1700pF @ 400V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:105nC @ 20V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):20V
Слить к источнику напряжения (VDSS):1200V
Подробное описание:N-Channel 1200V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для SCT30N120

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
SCTH2010-150 Image SCTH2010-150 Bel FIXED IND 15UH 300MA 1.52 OHM запрос
SCT50N120 Image SCT50N120 STMicroelectronics MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 запрос
SCT3030ALGC11 Image SCT3030ALGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 650V 70A TO247N запрос
SCT2750NYTB Image SCT2750NYTB LAPIS Semiconductor 1700V .75 OHM 6A SIC FET запрос
SCTH2010-1R0 Image SCTH2010-1R0 Bel FIXED IND 1UH 1.14A 105 MOHM SMD запрос
SCTH2010-220 Image SCTH2010-220 Bel FIXED IND 22UH 240MA 1.7 OHM SMD запрос
SCT3022ALGC11 Image SCT3022ALGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 650V 93A TO247N запрос
SCT3080ALGC11 Image SCT3080ALGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 650V 30A TO247 запрос
SCT2H12NYTB Image SCT2H12NYTB LAPIS Semiconductor 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET запрос
SCT3060ALGC11 Image SCT3060ALGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 650V 39A TO247N запрос
SCT3120ALGC11 Image SCT3120ALGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 650V 21A TO247N запрос
SCT3030KLGC11 Image SCT3030KLGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N запрос
SCT3080KLGC11 Image SCT3080KLGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N запрос
SCTH2010-100 Image SCTH2010-100 Bel FIXED IND 10UH 380MA 900 MOHM запрос
SCT2H12NZGC11 Image SCT2H12NZGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 1700V 3.7A запрос
SCT3040KLGC11 Image SCT3040KLGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N запрос
SCTH2010-2R7 Image SCTH2010-2R7 Bel FIXED IND 2.7UH 720MA 245 MOHM запрос
SCT3160KLGC11 Image SCT3160KLGC11 LAPIS Semiconductor MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N запрос
SCTH2010-2R2 Image SCTH2010-2R2 Bel FIXED IND 2.2UH 800MA 205 MOHM запрос
SCTH2010-1R5 Image SCTH2010-1R5 Bel FIXED IND 1.5UH 950MA 145 MOHM запрос

Latest Новости