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SCT30N120
SCT30N120
Artikelnummer:
SCT30N120
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
29353 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1.SCT30N120.pdf2.SCT30N120.pdf3.SCT30N120.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 1mA (Typ)
Vgs (Max):+25V, -10V
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse:HiP247™
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 20A, 20V
Verlustleistung (max):270W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Andere Namen:497-14960
Betriebstemperatur:-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 20V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):20V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1200V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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