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RGT8NS65DGTL
- Modèle de produit:
- RGT8NS65DGTL
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- IGBT 650V 8A 65W TO-263S
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 35416 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- RGT8NS65DGTL.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 4A |
| Condition de test: | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 17ns/69ns |
| énergie de commutation: | - |
| Package composant fournisseur: | LPDS (TO-263S) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 40ns |
| Puissance - Max: | 65W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | RGT8NS65DGTLTR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 15 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | Trench Field Stop |
| gate charge: | 13.5nC |
| Description détaillée: | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 65W Surface Mount LPDS (TO-263S) |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 12A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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