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RGT8NS65DGTL
- Artikelnummer:
- RGT8NS65DGTL
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- IGBT 650V 8A 65W TO-263S
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 35416 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- RGT8NS65DGTL.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 4A |
| Testbedingung: | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 17ns/69ns |
| Schaltenergie: | - |
| Supplier Device-Gehäuse: | LPDS (TO-263S) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 40ns |
| Leistung - max: | 65W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | RGT8NS65DGTLTR |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 15 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung: | 13.5nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 65W Surface Mount LPDS (TO-263S) |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 12A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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