RGT40NS65DGTL
RGT40NS65DGTL
Modèle de produit:
RGT40NS65DGTL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
IGBT 650V 40A 161W TO-263S
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
43384 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
RGT40NS65DGTL.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 20A
Condition de test:400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:22ns/75ns
énergie de commutation:-
Package composant fournisseur:LPDS (TO-263S)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):58ns
Puissance - Max:161W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:RGT40NS65DGTLTR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:15 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:40nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 650V 40A 161W Surface Mount LPDS (TO-263S)
Courant - Collecteur pulsée (Icm):60A
Courant - Collecteur (Ic) (max):40A
Email:[email protected]

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