NGTB30N120LWG
NGTB30N120LWG
Modèle de produit:
NGTB30N120LWG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 1200V 30A TO247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41107 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NGTB30N120LWG.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 30A
Condition de test:600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:136ns/360ns
énergie de commutation:4.4mJ (on), 1mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:-
Puissance - Max:560W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:420nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 560W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm):240A
Courant - Collecteur (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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