NGTB25N120FL3WG
NGTB25N120FL3WG
Modèle de produit:
NGTB25N120FL3WG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 1200V 100A TO247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
49168 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NGTB25N120FL3WG.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 25A
Condition de test:600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:15ns/109ns
énergie de commutation:1mJ (on), 700µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247-3
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):114ns
Puissance - Max:349W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:NGTB25N120FL3WGOS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:136nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 349W Through Hole TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm):100A
Courant - Collecteur (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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