NGTB30N120FL2WG
NGTB30N120FL2WG
Modèle de produit:
NGTB30N120FL2WG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 1200V 60A 452W TO247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
22923 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NGTB30N120FL2WG.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 30A
Condition de test:600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:98ns/210ns
énergie de commutation:2.6mJ (on), 700µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):240ns
Puissance - Max:452W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:NGTB30N120FL2WGOS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:220nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 452W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm):120A
Courant - Collecteur (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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