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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > IMB3AT110
IMB3AT110
IMB3AT110
Modèle de produit:
IMB3AT110
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45085 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.IMB3AT110.pdf2.IMB3AT110.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 5mA
Transistor Type:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:SMT6
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):-
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:300mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-74, SOT-457
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:MB3
Email:[email protected]

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