Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - συστοιχίες, προ-προκ > IMB3AT110
IMB3AT110
IMB3AT110
Αριθμός εξαρτήματος:
IMB3AT110
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
45085 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.IMB3AT110.pdf2.IMB3AT110.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IMB3AT110 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IMB3AT110, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IMB3AT110 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IMB3AT110 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 5mA
transistor Τύπος:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SMT6
Σειρά:-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2):-
Αντίσταση - Βάση (R1):4.7 kOhms
Ισχύς - Max:300mW
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:SC-74, SOT-457
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:10 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση:250MHz
Λεπτομερής περιγραφή:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):-
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):100mA
Αριθμός μέρους βάσης:MB3
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IMB3AT110

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IMB7AT108 Image IMB7AT108 LAPIS Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 Έρευνα
IMB36656M12 Crouzet IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12 Έρευνα
IMBD4148-G3-18 Image IMBD4148-G3-18 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 Έρευνα
IMBD4148-G3-08 Image IMBD4148-G3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 Έρευνα
IMB5AT108 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74 Έρευνα
IMB36652M8 Crouzet IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8 Έρευνα
IMB36656C Crouzet IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M Έρευνα
IMB36654M12 Crouzet IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12 Έρευνα
IMB36654C Crouzet IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M Έρευνα
IMBD4148-E3-18 Image IMBD4148-E3-18 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 Έρευνα
IMB4AT110 Image IMB4AT110 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Έρευνα
IMBD4148-HE3-18 Image IMBD4148-HE3-18 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 Έρευνα
IMBD4148-E3-08 Image IMBD4148-E3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 Έρευνα
IMB36652M12 Crouzet IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12 Έρευνα
IMB36654M8 Crouzet IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8 Έρευνα
IMB9AT110 Image IMB9AT110 LAPIS Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Έρευνα
IMBD4148-HE3-08 Image IMBD4148-HE3-08 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 Έρευνα
IMB36656M8 Crouzet IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 Έρευνα
IMB36652C Crouzet IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M Έρευνα
IMB35656M8 Crouzet IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 Έρευνα

Latest Ειδήσεις