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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > IMB3AT110
IMB3AT110
IMB3AT110
Modello di prodotti:
IMB3AT110
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
45085 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.IMB3AT110.pdf2.IMB3AT110.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 5mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SMT6
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):-
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-74, SOT-457
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:MB3
Email:[email protected]

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