FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTDTU
Modèle de produit:
FGA50N100BNTDTU
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
51374 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FGA50N100BNTDTU.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1000V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.9V @ 15V, 60A
Condition de test:-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:-
énergie de commutation:-
Package composant fournisseur:TO-3P
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):1.5µs
Puissance - Max:156W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT and Trench
gate charge:275nC
Description détaillée:IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm):100A
Courant - Collecteur (Ic) (max):50A
Email:[email protected]

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