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FGA40T65SHDF
- Modèle de produit:
- FGA40T65SHDF
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 41172 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FGA40T65SHDF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 1.81V @ 15V, 40A |
| Condition de test: | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 18ns/64ns |
| énergie de commutation: | 1.22mJ (on), 440µJ (off) |
| Package composant fournisseur: | TO-3PN |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 101ns |
| Puissance - Max: | 268W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | Trench Field Stop |
| gate charge: | 68nC |
| Description détaillée: | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 120A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 80A |
| Email: | [email protected] |
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