FGA40N60UFDTU
FGA40N60UFDTU
Modèle de produit:
FGA40N60UFDTU
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 40A 160W TO3P
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
46371 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FGA40N60UFDTU.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3V @ 15V, 20A
Condition de test:300V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:15ns/65ns
énergie de commutation:470µJ (on), 130µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-3PN
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):95ns
Puissance - Max:160W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms:FGA40N60UFDTU_NL
FGA40N60UFDTU_NL-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:77nC
Description détaillée:IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3PN
Courant - Collecteur pulsée (Icm):160A
Courant - Collecteur (Ic) (max):40A
Email:[email protected]

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