FGA60N60UFDTU
FGA60N60UFDTU
Modèle de produit:
FGA60N60UFDTU
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 120A 298W TO3P
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
32368 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FGA60N60UFDTU.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 60A
Condition de test:400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:23ns/130ns
énergie de commutation:1.81mJ (on), 810µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-3P
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):47ns
Puissance - Max:298W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:44 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Field Stop
gate charge:188nC
Description détaillée:IGBT Field Stop 600V 120A 298W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm):180A
Courant - Collecteur (Ic) (max):120A
Email:[email protected]

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