DMN2016LFG-7
DMN2016LFG-7
Modèle de produit:
DMN2016LFG-7
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
31571 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DMN2016LFG-7.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1.1V @ 250µA
Package composant fournisseur:U-DFN3030-8
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 6A, 4.5V
Puissance - Max:770mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerUDFN
Autres noms:DMN2016LFG-7DICT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1472pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 770mW Surface Mount U-DFN3030-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.2A
Numéro de pièce de base:DMN2016L
Email:[email protected]

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