DMN2015UFDF-7
Modèle de produit:
DMN2015UFDF-7
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
24286 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
DMN2015UFDF-7.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:U-DFN2020-6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):1.8W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-UDFN Exposed Pad
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1439pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:42.3nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:N-Channel 20V 15.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:15.2A (Ta)
Email:[email protected]

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