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DMN2016LHAB-7
- Modèle de produit:
- DMN2016LHAB-7
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 22957 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- DMN2016LHAB-7.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | U-DFN2030-6 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 1.2W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | DMN2016LHAB-7DITR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1550pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 7.5A |
| Email: | [email protected] |
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