DMN2016LFG-7
DMN2016LFG-7
Modello di prodotti:
DMN2016LFG-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
31571 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
DMN2016LFG-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:U-DFN3030-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:18 mOhm @ 6A, 4.5V
Potenza - Max:770mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerUDFN
Altri nomi:DMN2016LFG-7DICT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1472pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 770mW Surface Mount U-DFN3030-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.2A
Numero di parte base:DMN2016L
Email:[email protected]

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