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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTM100A13DG
APTM100A13DG
Modèle de produit:
APTM100A13DG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
32143 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APTM100A13DG.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 6mA
Package composant fournisseur:SP6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:156 mOhm @ 32.5A, 10V
Puissance - Max:1250W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:15200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:562nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:65A
Email:[email protected]

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