APTM100A13DG
Número de pieza:
APTM100A13DG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
32143 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
APTM100A13DG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 6mA
Paquete del dispositivo:SP6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:156 mOhm @ 32.5A, 10V
Potencia - Max:1250W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP6
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:15200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:562nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:65A
Email:[email protected]

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