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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTM100A23SCTG
APTM100A23SCTG
Modèle de produit:
APTM100A23SCTG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
24403 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APTM100A23SCTG.pdf2.APTM100A23SCTG.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Package composant fournisseur:SP4
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:270 mOhm @ 18A, 10V
Puissance - Max:694W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP4
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:8700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:308nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:36A
Email:[email protected]

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