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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > APTGT35H120T1G
APTGT35H120T1G
Modèle de produit:
APTGT35H120T1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
37683 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APTGT35H120T1G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 35A
Package composant fournisseur:SP1
Séries:-
Puissance - Max:208W
Package / Boîte:SP1
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance:Yes
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:2.5nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
Description détaillée:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1
Courant - Collecteur Cutoff (Max):250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):55A
Configuration:Full Bridge Inverter
Email:[email protected]

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