Az APTGT35H120T1G most elérhető!Az LYNTEAM technológia az APTGT35H120T1G állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetAPTGT35H120T1Ge-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon APTGT35H120T1G LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
APTGT35H120T1G
- Cikkszám:
- APTGT35H120T1G
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 37683 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- APTGT35H120T1G.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 35A |
| Szállító eszközcsomag: | SP1 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 208W |
| Csomagolás / tok: | SP1 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC termisztor: | Yes |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce: | 2.5nF @ 25V |
| Bemenet: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Részletes leírás: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1 |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 250µA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 55A |
| Configuration: | Full Bridge Inverter |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az APTGT35H120T1G-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT35DA120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 55A 205W D1 | Vizsgálat |
|
APTGT30H60T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | Vizsgálat |
|
APTGT400A120D3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3 | Vizsgálat |
|
APTGT30X60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | Vizsgálat |
|
APTGT30TL601G | Microsemi | MOD IGBT 600V 50A SP1 | Vizsgálat |
|
APTGT30H60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | Vizsgálat |
|
APTGT400A120G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6 | Vizsgálat |
|
APTGT35X120T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | Vizsgálat |
|
APTGT30SK170D1G | Microsemi | IGBT 1700V 45A 210W D1 | Vizsgálat |
|
APTGT400DA120D3G | Microsemi | IGBT 1200V 580A 2100W D3 | Vizsgálat |
|
APTGT35SK120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 55A 205W D1 | Vizsgálat |
 |
APTGT400A60D3G | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3 | Vizsgálat |
|
APTGT400DA120G | Microsemi | IGBT 1200V 560A 1785W SP6 | Vizsgálat |
|
APTGT35A120D1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 | Vizsgálat |
|
APTGT30SK170T1G | Microsemi | IGBT 1700V 45A 210W SP1 | Vizsgálat |
|
APTGT30TL60T3G | Microsemi | MOD IGBT 600V 50A SP3 | Vizsgálat |
 |
APTGT400DA60D3G | Microsemi | IGBT 600V 500A 1250W D3 | Vizsgálat |
|
APTGT35H120T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | Vizsgálat |
|
APTGT35A120T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 | Vizsgálat |
 |
APTGT400DU120G | Microsemi | IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6 | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében