APTGT35H120T1G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGT35H120T1G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGT35H120T1G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGT35H120T1G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGT35H120T1G
- رقم القطعة:
- APTGT35H120T1G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37683 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTGT35H120T1G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 35A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP1 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 208W |
| حزمة / كيس: | SP1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | Yes |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 2.5nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 55A |
| ترتيب: | Full Bridge Inverter |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGT35H120T1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT35DA120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 55A 205W D1 | تحقيق |
|
APTGT30H60T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
|
APTGT400A120D3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3 | تحقيق |
|
APTGT30X60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT30TL601G | Microsemi | MOD IGBT 600V 50A SP1 | تحقيق |
|
APTGT30H60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT400A120G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6 | تحقيق |
|
APTGT35X120T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT30SK170D1G | Microsemi | IGBT 1700V 45A 210W D1 | تحقيق |
|
APTGT400DA120D3G | Microsemi | IGBT 1200V 580A 2100W D3 | تحقيق |
|
APTGT35SK120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 55A 205W D1 | تحقيق |
 |
APTGT400A60D3G | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3 | تحقيق |
|
APTGT400DA120G | Microsemi | IGBT 1200V 560A 1785W SP6 | تحقيق |
|
APTGT35A120D1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 | تحقيق |
|
APTGT30SK170T1G | Microsemi | IGBT 1700V 45A 210W SP1 | تحقيق |
|
APTGT30TL60T3G | Microsemi | MOD IGBT 600V 50A SP3 | تحقيق |
 |
APTGT400DA60D3G | Microsemi | IGBT 600V 500A 1250W D3 | تحقيق |
|
APTGT35H120T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT35A120T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 | تحقيق |
 |
APTGT400DU120G | Microsemi | IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة