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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT80GA60LD40
APT80GA60LD40
APT80GA60LD40
Modèle de produit:
APT80GA60LD40
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 143A 625W TO264
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
29992 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT80GA60LD40.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 47A
Condition de test:400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:23ns/158ns
énergie de commutation:840µJ (on), 751µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-264
Séries:POWER MOS 8™
Temps de recouvrement inverse (trr):22ns
Puissance - Max:625W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:230nC
Description détaillée:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264
Courant - Collecteur pulsée (Icm):240A
Courant - Collecteur (Ic) (max):143A
Email:[email protected]

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