APT80GA60LD40 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT80GA60LD40، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT80GA60LD40 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT80GA60LD40 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT80GA60LD40
- رقم القطعة:
- APT80GA60LD40
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 143A 625W TO264
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29992 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT80GA60LD40.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 47A |
| اختبار حالة: | 400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 23ns/158ns |
| تحويل الطاقة: | 840µJ (on), 751µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264 |
| سلسلة: | POWER MOS 8™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 22ns |
| السلطة - ماكس: | 625W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 29 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 230nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 240A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 143A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT80GA60LD40
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT80SM120S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
 |
APT80GA60B | Microsemi | IGBT 600V 143A 625W TO247 | تحقيق |
 |
APT80GA90LD40 | Microsemi | IGBT 900V 145A 625W TO-264 | تحقيق |
 |
APT8024B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX | تحقيق |
|
APT80SM120B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
 |
APT80F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT8020JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 | تحقيق |
|
APT8020B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX | تحقيق |
|
APT8075BN | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD | تحقيق |
|
APT84F50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 84A TO-247 | تحقيق |
|
APT80SM120J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
 |
APT80GP60J | Microsemi | IGBT 600V 151A 462W SOT227 | تحقيق |
|
APT8024LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 | تحقيق |
|
APT8020LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 | تحقيق |
|
APT84M50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX | تحقيق |
|
APT8024LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 | تحقيق |
|
APT84F50L | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 | تحقيق |
|
APT80M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 | تحقيق |
|
APT8024JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227 | تحقيق |
|
APT80GA90B | Microsemi | IGBT 900V 145A 625W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات