APT80GA60LD40 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT80GA60LD40, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT80GA60LD40 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT80GA60LD40 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APT80GA60LD40
- Modello di prodotti:
- APT80GA60LD40
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 143A 625W TO264
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 29992 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT80GA60LD40.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 47A |
| Condizione di test: | 400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 23ns/158ns |
| di scambio energetico: | 840µJ (on), 751µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-264 |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 22ns |
| Potenza - Max: | 625W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 29 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 230nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 240A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 143A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT80GA60LD40
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT80SM120S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
 |
APT80GA60B | Microsemi | IGBT 600V 143A 625W TO247 | Inchiesta |
 |
APT80GA90LD40 | Microsemi | IGBT 900V 145A 625W TO-264 | Inchiesta |
 |
APT8024B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX | Inchiesta |
|
APT80SM120B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
 |
APT80F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT8020JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT8020B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX | Inchiesta |
|
APT8075BN | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD | Inchiesta |
|
APT84F50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 84A TO-247 | Inchiesta |
|
APT80SM120J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
 |
APT80GP60J | Microsemi | IGBT 600V 151A 462W SOT227 | Inchiesta |
|
APT8024LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 | Inchiesta |
|
APT8020LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 | Inchiesta |
|
APT84M50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX | Inchiesta |
|
APT8024LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 | Inchiesta |
|
APT84F50L | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 | Inchiesta |
|
APT80M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT8024JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT80GA90B | Microsemi | IGBT 900V 145A 625W TO247 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato