2SA1955FVATPL3Z
2SA1955FVATPL3Z
Modèle de produit:
2SA1955FVATPL3Z
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
31215 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
2SA1955FVATPL3Z.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:CST3
Séries:-
Puissance - Max:100mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:SC-101, SOT-883
Autres noms:2SA1955FVATPL3ZCT
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:130MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount CST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:300 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):400mA
Email:[email protected]

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