Az 2SA1955FVATPL3Z most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 2SA1955FVATPL3Z állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet2SA1955FVATPL3Ze-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 2SA1955FVATPL3Z LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
2SA1955FVATPL3Z
- Cikkszám:
- 2SA1955FVATPL3Z
- Leírás:
- TRANS PNP 12V 0.4A VESM
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 31215 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 2SA1955FVATPL3Z.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 12V |
| Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Tranzisztor típusú: | PNP |
| Szállító eszközcsomag: | CST3 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 100mW |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | SC-101, SOT-883 |
| Más nevek: | 2SA1955FVATPL3ZCT |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvencia - Átmenet: | 130MHz |
| Részletes leírás: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount CST3 |
| DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 300 @ 10mA, 2V |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 400mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 2SA1955FVATPL3Z-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be