2SA1955FVATPL3Z
2SA1955FVATPL3Z
Modello di prodotti:
2SA1955FVATPL3Z
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
31215 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
2SA1955FVATPL3Z.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):12V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 10mA, 200mA
Tipo transistor:PNP
Contenitore dispositivo fornitore:CST3
Serie:-
Potenza - Max:100mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SC-101, SOT-883
Altri nomi:2SA1955FVATPL3ZCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:130MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount CST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:300 @ 10mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):400mA
Email:[email protected]

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