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SI1900DL-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI1900DL-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
- Cantidad de stock:
- 35194 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI1900DL-T1-GE3.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | SC-70-6 |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 480 mOhm @ 590mA, 10V |
| Potencia - Max: | 300mW, 270mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 33 Weeks |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 630mA (Ta), 590mA (Ta) 300mW, 270mW Surface Mount SC-70-6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 630mA (Ta), 590mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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