SI1900DL-T1-GE3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SI1900DL-T1-GE3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SI1900DL-T1-GE3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SI1900DL-T1-GE3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SI1900DL-T1-GE3
- Part Number:
- SI1900DL-T1-GE3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
- Množství zásob:
- 35194 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SI1900DL-T1-GE3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | SC-70-6 |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 480 mOhm @ 590mA, 10V |
| Power - Max: | 300mW, 270mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Výrobní standardní doba výroby: | 33 Weeks |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.4nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 630mA (Ta), 590mA (Ta) 300mW, 270mW Surface Mount SC-70-6 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 630mA (Ta), 590mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SI1900DL-T1-GE3
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické