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NJVMJD112G
- Número de pieza:
- NJVMJD112G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 31010 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NJVMJD112G.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 100V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 3V @ 40mA, 4A |
| Tipo de transistor: | NPN - Darlington |
| Paquete del dispositivo: | DPAK |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 1.75W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 5 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 25MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 2A, 3V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 20µA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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