NJVMJD117T4G
NJVMJD117T4G
Número de pieza:
NJVMJD117T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
24058 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
NJVMJD117T4G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
Tensión - Colector-emisor (máx):100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
Tipo de transistor:PNP - Darlington
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:-
Potencia - Max:1.75W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:25MHz
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 2A, 3V
Corriente - corte del colector (Max):20µA
Corriente - colector (Ic) (Max):2A
Número de pieza base:MJD117
Email:[email protected]

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