DMN2015UFDF-13
Número de pieza:
DMN2015UFDF-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
31563 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMN2015UFDF-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:U-DFN2020-6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:9 mOhm @ 8.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1439pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:42.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:N-Channel 20V 15.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15.2A (Ta)
Email:[email protected]

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