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DMN2014LHAB-7
- Número de pieza:
- DMN2014LHAB-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 39281 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- DMN2014LHAB-7.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.1V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | U-DFN2030-6 (Type B) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 13 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 800mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | DMN2014LHAB-7DITR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1550pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A |
| Email: | [email protected] |
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