DMN2019UTS-13
Número de pieza:
DMN2019UTS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
51887 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMN2019UTS-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:950mV @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:18.5 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max:780mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres:DMN2019UTS-13DITR
DMN2019UTS13
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:143pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.8nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 780mW Surface Mount 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.4A
Número de pieza base:DMN2019
Email:[email protected]

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