DMN2011UFX-7
DMN2011UFX-7
Número de pieza:
DMN2011UFX-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
20250 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMN2011UFX-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:V-DFN2050-4
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Potencia - Max:2.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-VFDFN Exposed Pad
Otros nombres:DMN2011UFX-7DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2248pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12.2A (Ta)
Email:[email protected]

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