FDMQ86530L
FDMQ86530L
Artikelnummer:
FDMQ86530L
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
58841 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
FDMQ86530L.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:12-MLP (5x4.5)
Serie:GreenBridge™ PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:17.5 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max:1.9W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:12-WDFN Exposed Pad
Andere Namen:FDMQ86530LTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2295pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Typ FET:4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 8A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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