FDMQ86530L
FDMQ86530L
Modello di prodotti:
FDMQ86530L
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
58841 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
FDMQ86530L.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:12-MLP (5x4.5)
Serie:GreenBridge™ PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:17.5 mOhm @ 8A, 10V
Potenza - Max:1.9W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:12-WDFN Exposed Pad
Altri nomi:FDMQ86530LTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2295pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 8A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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