FDMJ1028N
FDMJ1028N
Artikelnummer:
FDMJ1028N
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
32519 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
FDMJ1028N.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:6-MicroFET (2x2)
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Leistung - max:800mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-WFDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.2A
Email:[email protected]

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