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FDMQ8203
- Artikelnummer:
- FDMQ8203
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 22308 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FDMQ8203.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 12-MLP (5x4.5) |
| Serie: | GreenBridge™ PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 3A, 10V |
| Leistung - max: | 2.5W |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 12-WDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | FDMQ8203CT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 210pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V, 80V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.4A, 2.6A |
| Basisteilenummer: | FDMQ8203 |
| Email: | [email protected] |
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