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DMT3011LDT-7
- Artikelnummer:
- DMT3011LDT-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 57710 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- DMT3011LDT-7.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | V-DFN3030-8 (Type K) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| Leistung - max: | 1.9W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | DMT3011LDT-7-ND DMT3011LDT-7DITR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 641pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13.2nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8A, 10.7A |
| Email: | [email protected] |
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