DMT3011LDT-7
DMT3011LDT-7
Modelo do Produto:
DMT3011LDT-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
57710 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMT3011LDT-7.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:V-DFN3030-8 (Type K)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 6A, 10V
Power - Max:1.9W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-VDFN Exposed Pad
Outros nomes:DMT3011LDT-7-ND
DMT3011LDT-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:641pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13.2nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A, 10.7A
Email:[email protected]

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