DMT3011LDT-7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DMT3011LDT-7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DMT3011LDT-7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DMT3011LDT-7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DMT3011LDT-7
- رقم القطعة:
- DMT3011LDT-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57710 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DMT3011LDT-7.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | V-DFN3030-8 (Type K) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.9W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-VDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | DMT3011LDT-7-ND DMT3011LDT-7DITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 641pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 13.2nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A, 10.7A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMT3011LDT-7
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU