DMT3009LFVW-13
DMT3009LFVW-13
Artikelnummer:
DMT3009LFVW-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
27930 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
DMT3009LFVW-13.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerDI3333-8
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 14.4A, 10V
Verlustleistung (max):2.3W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerVDFN
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:823pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):3.8V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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