BLM9D2527-20ABZ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLM9D2527-20ABZ، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLM9D2527-20ABZ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLM9D2527-20ABZ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLM9D2527-20ABZ
- رقم القطعة:
- BLM9D2527-20ABZ
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF MOSFET LDMOS SOT1462-1
- كمية المخزون:
- 38547 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.BLM9D2527-20ABZ.pdf2.BLM9D2527-20ABZ.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 28V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-PQFN (8x8) |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 20W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 20-QFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 1603-1101-1 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص: | Lead free |
| ربح: | - |
| تردد: | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 2.5GHz ~ 2.7GHz 20W 20-PQFN (8x8) |
| التصويت الحالي: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLM9D2527-20ABZ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLM8G0710S-60PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 | تحقيق |
 |
BLM9D2327S-50PBGY | Ampleon | BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP | تحقيق |
 |
BLM7G24S-30BGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
 |
BLM8D1822-25BZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-60PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-45ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM9D2327-25BZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
|
BLM7G22S-60PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM9D2325-20ABZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | تحقيق |
 |
BLM8G0710S-15PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122 | تحقيق |
 |
BLM8D1822S-50PBY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPF | تحقيق |
|
BLM8G0710S-30PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM8D1822S-50PBGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOP | تحقيق |
|
BLM7G22S-60PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111 | تحقيق |
|
BLM9D2327S-50PBY | Ampleon | BLM9D2327S-50PB/SOT502/REELDP | تحقيق |
|
BLM8G0710S-15PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-45ABGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل