BLM8D1822S-50PBY متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLM8D1822S-50PBY، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLM8D1822S-50PBY عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLM8D1822S-50PBY مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLM8D1822S-50PBY
- رقم القطعة:
- BLM8D1822S-50PBY
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPF
- كمية المخزون:
- 53562 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLM8D1822S-50PBY.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-HSOPF |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1211-3 |
| اسماء اخرى: | 1603-1094-2 934069889518 BLM8D1822S-50PBY-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| ربح: | 26dB |
| تردد: | 1.805GHz ~ 2.17GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 104mA 1.805GHz ~ 2.17GHz 26dB 5W 16-HSOPF |
| التصويت الحالي: | 1.4µA |
| الحالي - اختبار: | 104mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLM8D1822S-50PBY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLM8G0710S-45ABGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM7G24S-30BGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
 |
BLM8D1822-25BZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
 |
BLM9D2327S-50PBGY | Ampleon | BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-80ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111 | تحقيق |
|
BLM7G22S-60PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-60PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80ABGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121 | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-40PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-15PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-60PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM9D2327-25BZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
 |
BLM8G0710S-15PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM9D2325-20ABZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
|
BLM8D1822S-50PBGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOP | تحقيق |
|
BLM8G0710S-30PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM7G22S-60PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-45ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل