BLM8G0710S-45ABGY متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLM8G0710S-45ABGY، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLM8G0710S-45ABGY عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLM8G0710S-45ABGY مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLM8G0710S-45ABGY
- رقم القطعة:
- BLM8G0710S-45ABGY
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122
- حالة خالية من الرصاص:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات متوافقة مع الإعفاء
- كمية المخزون:
- 57659 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLM8G0710S-45ABGY.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-HSOP |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 3W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1212-2 |
| اسماء اخرى: | 1603-1097-2 934069033518 BLM8G0710S-45ABGY-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption |
| ربح: | 35dB |
| تردد: | 957.5MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 30mA 957.5MHz 35dB 3W 16-HSOP |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 30mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLM8G0710S-45ABGY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLM9D2327S-50PBGY | Ampleon | BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP | تحقيق |
 |
BLM8D1822S-50PBGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOP | تحقيق |
 |
BLM8G0710S-60PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 | تحقيق |
 |
BLM9D2325-20ABZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-80PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | تحقيق |
 |
BLM8G0710S-30PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-15PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM9D2327-25BZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
|
BLM7G22S-60PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM8D1822-25BZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM8D1822S-50PBY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPF | تحقيق |
|
BLM9D2327S-50PBY | Ampleon | BLM9D2327S-50PB/SOT502/REELDP | تحقيق |
|
BLM8G0710S-15PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM9D2527-20ABZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS SOT1462-1 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111 | تحقيق |
|
BLM7G22S-60PBY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-60PBGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM8G0710S-45ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM7G24S-30BGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار